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GaN基光子晶体发光二极管光提取效率的理论研究的开题报告

一、研究背景及意义

在现代光电子领域，发光二极管(LED)作为一种新型的光源，其照明效率已经远远超过了传统的白炽灯和荧光灯。但是在实际应用中，LED仍存在一些问题，其中最重要的问题之一就是其光提取效率的低下。由于LED光的发光是通过光电转换过程实现的，而这个过程中需要克服固体材料中不同折射率的介质界面带来的反射和折射效应，因此LED的光提取效率受到了很大的制约。

因此，研究如何提高LED光提取效率已成为当前LED技术研究的重要方向之一。其中，GaN基光子晶体发光二极管(PSC-LEDs)作为一种新兴的LED结构，其光提取效率比传统LED有了较大提升。

二、研究内容及方法

本研究将通过理论计算和模拟的方式，探究GaN基光子晶体发光二极管的光提取效率问题。具体研究内容包括如下两个方面：

1.构建三维光传输模型，研究GaN基PSC-LED的光提取效率与其结构参数(如光子晶体的颗粒大小和晶格常数)、介质折射率等因素之间的关系；

2.在建立的光传输模型的基础上，通过对比分析不同材料和结构的LED，研究GaN基PSC-LED的光提取效率与其他LED的差异性，并通过实验验证模拟结果的准确性。

三、研究计划及进度

本研究计划分两个阶段进行：

第一阶段：建立三维光传输模型，研究GaN基PSC-LED的光提取效率与其结构参数、介质折射率等因素之间的关系。预计需要6个月的时间。

第二阶段：在建立的光传输模型的基础上，通过对比分析不同材料和结构的LED，研究GaN基PSC-LED的光提取效率与其他LED的差异性，并通过实验验证模拟结果的准确性。预计需要9个月的时间。

本研究计划于2022年1月开始，第一阶段研究计划于2022年7月完成；第二阶段研究计划于2023年4月完成。

四、预期成果

通过本研究，我们将深入了解GaN基PSC-LED的光提取效率问题，并探究其与材料和结构之间的联系，以期为实现高效率LED的应用提供一定的理论指导和技术支持。同时，本研究还将探索新型LED的发展方向，推动我国在新型光电器件研究方面的发展。