反激式开关电源参数优化分析与实践-临时分类-.pptxVIP

反激式开关电源参数优化分析与实践;4.1问题的提出;4.2不同的占空比对开关管导通损耗

的影响;图4.1相同的平均值电流条件下开关峰值电流与占空比的关系;开关周期：5.8μs；导通时间0.3μs；输出二极管导通时间小于0.6μs；整个变压器储能与释放储能的时间不到1μs；总占空比

小于0.2。其余5.9μs处于休闲状态；电源电压18V；复位电压约10V;分析;图中的横坐标为占空比，纵坐标为开关管或变压器一次侧峰值电流（一占空比为1时的开关管峰值电流为单位）

同样，开关管流过的电流有效值与占空比的关系如公式（4.2）或（4.3）：

（4.2）

（4.3）;式（4.2）表达的是，开关管流过的有效值电流随占空比的减小而增加，这样在相同的开关管导通电阻的条件下，开关管的导通电阻与占空比的关系如下式：;表4.1不同占空比条件下的有效值与平均值的比值以及与损耗的相对;通过表4.1，可以更清楚地看懂随着占空比的减小不仅有效值增加，而且损耗增加的速度更快；

由图4.1和表4.1看到占空比小于0.3以后，不仅有效值增加的速度加快，损耗的速度也更进一步的

加快。当占空比为0.2时，损耗为平均值的6.67倍！为占空比为4.0时的2倍；如果占空比降低到0.1则损耗为平均值的13.3倍！为占空比0.4时的4倍！

为了获得相同的平均电流值，占空比越小，付出的损耗值越高。;4.3不同的占空比对开关管参数选择

的影响;式中的ΔV为变压器漏感在开关管关断过程产生的尖峰电压，对于220Vac输入电压等级对应的尖峰电压一般取100V。;通占空比对反冲电压、开关管峰值;MOSFET（IRF系列）的导通性能;很显然，随着MOSFET的额定电压的上升，导通电压会急剧增加。为了很好的反映不同额定电压下导通电阻的增加程度，可以将以上的MOSFET折算成相同的额定电流条件下的导通电阻。折算成3A状态下的导通电阻为：;3A额定电流时的导通电阻;以上结果表明：如果选用常规MOSFET，很可能既是提高占空比也不会降低开关管的导通损耗。为了减小开关管的导通损耗由不明显的提高开关管的开关损耗，应选择Infineon的CoolMOS，CoolMOS的C3系列是比较成熟的型号：;的导通特性;可以看到，CoolMOS的额定定电压的提升并没有明显的提高导通电压。为了与IRF系列具有可比性，需要将CoolMOS折算成2A额定电流下的导通电阻：;成2A额定电;这个结果可以看到，尽管CoolMOS的额定电压提高，导通电阻并没有明显的提高。这时通过提高占空比可以有效地降低开关管的导通损耗。公式（4.4）的计算结果与实际结果很相近。

以上分析仅仅考虑开关管的导通损耗与占空比的关系。开关管的损耗不仅与导通损耗有关，还与开关损耗有关。;4.4不同的占空比对开关管开关损耗

的影响;图4.2开关管的关断过程;图4.3开关管的开通过程;图4.3的左图为硬开关的反激式变换器的开关管漏--源极电压波形，很显然这是在电源电压下开通的。右图为准谐振状态下的开关管漏—源极电压波形。

开关管的开通损耗可以通过设法降低开关管开通时刻的漏

—源极电压减小，如果开关管在开通时刻的漏—源极电压为零，则可以实现零电压开通，开通损耗为零。

采用准谐振工作模式可以有效地降低开关管开通时刻的电压，甚至可以将开通时刻的电压降低到零，如图4.3的右图。

从以上分析可以得出尽可能的增加开关管的占空比有利于减小开关管关断损耗的结论。;4.5不同的占空比对变压器一次侧绕组损耗的影响;4.6不同的占空比对直流母线电容器

损耗的影响;表4.7不;无论是有效值与平均值的比值，还是有效值2与平均值的比值，均随着占空比的减小而增长，有效值2与平均值的比值增长比有效值与平均值的比值增长得更快。很显然增大开关管的占空比有利于减小直流母线电容器的损耗。;4.7输出整流二极管的导通占空比对输出整流二极管导通损耗的影响;4.7.1电感电流临界工作状态;平均值与输出电流平均值的比值;图4.4不同占空的开关管电流波形

整流器电流波;4.7.2电感电流断续状态;除了输出整流器导通占空比的变化外，电流断续状态下，输出整流器流过的有效值电流和输出滤波电容器流过的有效值与输出整流器导通占空比的关系同样可以应用公式

（4.15）和公式（4.16），这两个公式所得出的结论也是同样适用的。

通过上述分析可以知道：由于反激式变换器的能量传输需要通过变压器的激磁电感存储与释放储能，因此在开关管和输出整流器导通之和为开关周期或接近于开关周期时为最佳。由于变压器激磁电感电流不能连续，在整个开关周期中总会有开关管和输出整流器均不导通的状态，这种状态的出现会导致开关管的占空比的降低、输出整流器占空比的降低或两者同时降低。;为了维持输出功率的不变，由于开关管、