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第3章习题参考答案
1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器,问
该存储器能存储多少字节的信息?
如果存储器由512K×8位SRAM芯片组成,需要多少片?
需要多少位地址作芯片选择?解:
32
该存储器能存储:220? ?4M字节
8
220?32 ?
220?32 ?220
?32
512K?8
219
?8
用512K?8位的芯片构成字长为32位的存储器,则需要每4片为一组进行字长的位数扩展,然后再由2组进行存储器容量的扩展。所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器,其地址码为26位,若使用4M×8位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间,并选用内存条结构形式,问;
若每个内存条为16M×64位,共需几个内存条?
每个内存条内共有多少DRAM芯片?
主存共需多少DRAM芯片?CPU如何选择各内存条?解:
共需
226?64 ?4条内存条
16M?64
每个内存条内共有16M?64?32个芯片
4M?8
(3)主存共需多少226?64?
64M?64
?128个RAM芯片,共有4个内存条,故
4M?8 4M?8
CPU选择内存条用最高两位地址A24和A25通过2:4译码器实现;其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3、用16K×8位的DRAM芯片构成64K×32位存储器,要求:
画出该存储器的组成逻辑框图。
设存储器读/写周期为0.5μS,CPU在1μS内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?
解:
(1)用16K×8位的DRAM芯片构成64K×32位存储器,需要用64K?32?4?4?16
16K?8
、 、 和个芯片,其中每4片为一组构成16K×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D0?D7 D8?D15 D16?D23 D24?D31,其余
、 、 和
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名引脚互连),需要低14位地址(A0?A13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——
4A15分成行、列地址两次由A0?A
4
A
15
引脚输入;然后再由组进行存储器容量扩展,用高
6
14两位地址A 、
14
通过2:4译码器实现4组中选择一组。画出逻辑框图如下。
A?A
0 13
A?A
A?A
A?A
A?A
CPU RAS (1)
(2)
WE
0 6
D
0?7
D
8?15
D
16?23
D
24?31
WE
0 6
D
0?7
D
8?15
D
16?23
D
24?31
WE
0 6
D
0?7
D
8?15
D
16?23
D
24?31
WE
0 6
D
0?7
D
8?15
D
16?23
D
24?31
WE
?D D
?
0 31
RAS
RAS
RAS
RAS
14A 2-4
14
译码A
译码
15
0 RAS
1 RAS
2
RAS
3
(2)设刷新周期为2ms,并设16K?8位的DRAM结构是128?128?8存储阵列,则对所有单元全部刷新一遍需要128次(每次刷新一行,共128行)
若采用集中式刷新,则每2ms中的最后128?0.5?s=64?s为集中刷新时间,
不能进行正常读写,即存在64?s的死时间
若采用分散式刷新,则每1?s只能访问一次主存,而题目要求CPU在1μS内至少要访问一次,也就是说访问主存的时间间隔越短越好,故此方法也不是最适合的
比较适合采用异步式刷新:
采用异步刷新方式,则两次刷新操作的最大时间间隔为
2ms
128
?15.625?s,可取
15.5?s;对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间为:
15.5?s?128=1.984ms;采用这种方式,每15.5?s中有0.5?s用于刷新,其余的时间用于访存(大部分时间中1?s可以访问两次内存)。
4、有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位的DRAM芯片构成。问:
总共需要多少DRAM芯片?
设计此存储体组成框图。
采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过8ms,则刷新信号周期是多少?解:
(1)需要1024K?32?8?4?32片,每4片为一组,共需8组
128K?8
设计此
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