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1半导体二极管

自我检测题

一．选择和填空

纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。

在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度B电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度A电子浓度。

（A．大于，B．小于，C．等于）

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于C，而少数载流子的浓度与A关系十分密切。

（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）

当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层 E ；当PN结外加反向电压时，扩散电流B漂移电流，耗尽层D 。

（A．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F不变）

二极管实际就是一个PN结，PN结具有单向导电性，即处于正向偏置时，处于导通 状态；反向偏置时，处于截止状态。

普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。

（A．0.1～0.3V，B．0.6～0.8V，C．小于1μA，D．大于1μA）

已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为T

1

时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5伏，反向击穿电

压为 160 伏，反向电流为10-6

安培。温度T

1

小于 25℃。（大于、小于、等于）

i

i

30

mA

25oC

20

T1

10

150 100 50

0

v/V

0.5 1

-0.001

-0.002

-0.003

图选择题7

PN结的特性方程是i?I

S

v

(eVT?1)。普通二极管工作在特性曲线的 正向区；稳压

管工作在特性曲线的反向击穿区 。

二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）

1．N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （×）2．在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（√）

3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）4．PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 （√）5．由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。（×）6．PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。

（×）7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√），它不允许工作在

正向导通状态（×）。

习题

图题1.1各电路中，v

i

?5Sinωt(V)，忽略D的导通压降和死区电压，画出各电路相

应的输出电压波形。

vo?

v

o

?t

o

D

R

L

v

o

i

(a)

vo?

v

o

?t

o

v

i

R

L

v

o

10V

(b)

vo?

v

o

?t

o

v

i

R

L

v

o

10V

(c)

图题1.1

解：

（a）图中，v0时，二极管截止，v=0；v0时，二极管导通，v=v。

i o i o i

vO

vOV

?

2?

?t

0

5

（b）图中，二极管导通，v=v+10。

o i

v

vOV

?

2?

?t

10

5

0

（c）图中，二极管截止，v=0。

o

vO

v

OV

v

O=0

?t

求图题1.2所示电路中流过二极管的电流I

D

和A点对地电压V。设二极管的正向导

A

通电压为0.7V。

+10V

R1 20k?

+10V

R1 2k?

A

R2 10k?

ID

D

-6V

I

DA

D

R2 10k?

R

3

-6V

D

3k?

(a)

图题1.2

(b)

解：（a）VA??6?0.7??5.3V

I ?10?VAD R

1

0?VA

R

2

?1.3mA

（b）10?VA

V ?(?6) V ?0.7

? A ? A

R R R

1 2 3

得V ?4.96V

A

I ?V

D

?0.7

A

R

3

?1.42mA

1.33电路如图题1.3所示，已知D

为锗二极管，其死区电压V＝0.2V，正向导通压降为

1 th

0.3V；D为硅二极管，其死区电压为V＝0.5V，正向导通压降为0.7V。求流过D、D的电流

2 th 1 2

I和I。

10k?

10k?

I

100?

1100?

15V

D1

D2

I2

图题1.3

解：由于D1的死区电压小于D2的死区电压，应该D1先导