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2023-12-13 发布于四川
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一种锑掺杂碲化镉靶材的制备方法.pdf

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本发明属于材料制备领域，公开了一种锑掺杂碲化镉靶材的制备方法。包括以下步骤：（1）将CdTe粉末、Sb2Te3粉末混合均匀，其中Sb2Te3粉末占比0.5~10wt%；（2）将混合均匀后的粉末进行加热反应，得到锑掺杂碲化镉靶材；所述加热反应具体为：一阶段：真空条件下，升温到300~400℃，保温30~50min；二阶段：真空条件下，升温到550~600℃，保温60~90min，该阶段在升温到最高温度后开始加压至80~90Mpa，并保压至保温时间结束。本发明采用真空热压烧结制备碲化镉掺杂靶材，工艺

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117209278A

(43)申请公布日2023.12.12

(21)申请号202311192673.7

(22)申请日2023.09.15

(71)申请人先导薄膜材料（广东）有限公司

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