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本发明涉及一种对半导体芯光纤通过调节脉冲CO2激光器单脉冲能量进行激光退火改性优化的方法。具体步骤如下:1)对半导体芯光纤进行激光退火实验预处理。2)将预处理完备的半导体芯光纤置于脉冲激光器的实验台,调整激光单脉冲能量,并在激光红光指示区域内进行激光退火实验。3)通过显微共焦拉曼光谱仪对实验后的半导体芯光纤进行拉曼mapping测试,分析实验后的半导体芯光纤纤芯内的结晶体变化和残余应力改善情况。4)通过搭建好的光纤光传输损耗测试系统来测试实验后的光纤传输损耗。在保持单脉冲能量一致、总脉冲数相同的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117232918A
(43)申请公布日2023.12.15
(21)申请号202311056903.7
(22)申请日2023.08.22
(71)申请人上海大学
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