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DRAM技术发展史年表 1959 年，美国德州仪器（ TI ）公司 Kilby 在一块 Ge衬底上做成两个以上的 晶体管 , 标志着世界上第一块集成电路的诞生。 1960 年， H H Loor 和 E Castellani 发明了光刻工艺。 1963 年，F.M.Wanlass 和 C.T.Sah 首次提出 CMOS技术，今天，95%以上的集 成电路芯片都是基于 CMOS工艺。 1968 年， IBM 的 R.H.Dennard 发明了 DRAM的核心记忆单位 1T1C （1 个晶体 管搭配一个电容器） 。这个结构成为所有计算机内最主要的读写元件，至今未曾 改变。 1969 年，英特尔推出了 64 位的 SRAM芯片 ( 双极静态随机存取存储器 ) ，由 于其成本缩减到了磁心存储器成本的 l/10 ，因此获得了巨大的成功。 1970年，英特尔利用 MOS工艺开发出 1kb 动态随机存取存储器 (DRAM)— 1103 2 型存储器。 硅片直径为 50mm,芯片面积为 8.5mm，集成度为 5000，采用的主要技 术为三晶体管单元和刷新技术。相对于双极技术， MOS技术不仅能耗少而且集成 度高，因此 DRAM就成为了计算机存储指令和数据的主流技术。在整个 20 世纪 70 年代， DRAM一直是英特尔的核心产品和主要利润来源，为其之后的发展奠定 了雄厚的资金基础。 2 1972 年，4 kb DRAM 问世。硅片直径为 75mm,芯片面积为 15.9mm，集成度 为 11000，采用的主要技术为单晶体管单元、 差分读出技术和地址多路选择技术。 2 1975 年， 16kb DRAM问世。硅片直径为 75-100mm,芯片面积为 16.2mm，集 成度为 37000，采用的主要技术为二层多晶硅技术。 1978 年，64kb DRAM问世，标志着超大规模集成电路（ VLSI ）时代的来临。 2 硅片直径为 100-125mm,芯片面积为 26.6mm，集成度为 155000，采用的主要技术 为循环位线、折叠数据线等技术。 2 1980 年，256kb DRAM问世。硅片直径为 125-150mm,芯片面积为 34.8mm， 集成度为 555000，采用的主要技术为三层多晶硅和冗余技术。 2 1984 年， 1Mb DRAM问世。硅片直径为 150mm,芯片面积为 51mm，集成度为 2250000，采用的主要技术为轻掺杂漏（ LDD）结构技术。 11 月，英特尔高层宣 布不再开发新一代 DRAM，基本上决定退出 DRAM业务。从 1985 年开始，英特尔 专注于对设计和工艺要求很高的微处理器业务。 1984 年，第一块闪速存储器问世。闪存是在 EPROM和 EEPROM基础上发展 起来的非易失性存储器