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一种单芯片白光LED的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-12-16 发布于四川
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一种单芯片白光LED的制备方法.pdf

    本申请公开了一种单芯片白光LED的制备方法，包括：在衬底上刻蚀对位光刻标记点；依次生长GaN或AlN成核层、非故意掺杂GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层；生长不同发光波长的有源区发光层；生长p型GaN层得到多区域不同发光波长的LED外延片；利用光刻工艺把芯片加工中的透明导电膜制备、芯片台面刻蚀、单胞深槽刻蚀、侧壁钝化和单胞间电极蒸镀布线的光刻版，与上述的光刻版形成的对位标记进行套刻；保证设计的不同发光波长的有源区和芯片中的单胞对应，并根据预先设计的单胞间的串并联关系，通过蒸镀薄膜金属电极材料并在

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111312867A

    (43)申请公布日

    2020.06.19

    (21)申请号20201

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