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基于磁控溅射AlN和石墨烯过渡层的GaN生长研究

基于磁控溅射AlN和石墨烯过渡层的GaN生长研究

摘要：

氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，在光电子学和功率电子领域具有广泛应用。本研究通过磁控溅射技术结合石墨烯过渡层，实现GaN薄膜的快速、低成本生长。通过研究不同溅射条件下的膜层结构、物相和电性能，评估了石墨烯过渡层对GaN生长的影响。实验结果表明，石墨烯过渡层能够显著改善GaN薄膜的结晶度和性能，并提高其光电性能。

1.引言

氮化镓广泛应用于发光二极管（LEDs）、高电子迁移率晶体管（HEMTs）和太阳能电池等领域，然而现有的GaN生长方法存在一些问题