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超深亚微米集成电路铜互连可靠性研究的开题报告

1.研究背景和意义：

随着集成电路技术的不断发展，芯片上的器件尺寸越来越小，芯片密度越来越高。超深亚微米尺寸的集成电路中，铜互连的形成成为了工艺上的一大难点。铜互连的可靠性直接影响到芯片的性能和寿命，因此研究超深亚微米集成电路铜互连可靠性具有重要的背景和意义。

2.研究内容和方法：

本研究将主要开展以下研究内容：

(1)分析超深亚微米铜互连的形成机制和工艺流程

(2)研究铜互连的可靠性机理，包括力学变形、电热效应、氧化等因素的影响

(3)通过实验方法研究铜互连的可靠性，包括应力-应变曲线、压缩试验、电学测试等方法。

(4)分析铜互连的可靠性数据，确定铜互连的寿命、失效机制和影响因素。

3.研究预期结果：

(1)深入了解超深亚微米铜互连的形成和可靠性机理

(2)建立可靠性测试方法，评估铜互连的可靠性

(3)确定铜互连的寿命、失效机制和影响因素

(4)提出优化超深亚微米铜互连可靠性的建议。

4.研究计划和进度安排：

本研究计划从2022年1月开始，为期两年，计划安排如下：

(1)2022年1月-2022年6月：完成超深亚微米铜互连的形成机制和工艺流程的分析，确定可靠性测试方法，准备实验设备和材料。

(2)2022年7月-2023年6月：开展实验研究，分析铜互连的可靠性机理，收集数据，确定铜互连的寿命和失效机制。

(3)2023年7月-2024年1月：分析数据，提出改进超深亚微米铜互连可靠性的建议，撰写论文。

(4)2024年1月-2024年3月：论文修改和答辩准备。

5.参考文献：

[1]Liu,X.R.,Li,Y.,Liang,B.J.,Li,L.,Li,W.,Wu,X.C.(2020).Copperelectrochemicalmigrationin28nmCu/ultra-low-kDamasceneinterconnects.JournalofAppliedPhysics,128(6),065306.

[2]Chen,X.B.,Lu,X.M.,Chen,G.Z.,Zhang,L.(2020).EffectsofCugrainsize,Cu/oxideinterfaceroughness,andBidopingonelectromigrationandstress-inducedvoidinginCuinterconnects.JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,31(12),10121-10131.

[3]Farivar,R.,Wang,Y.,Chang,C.F.,Chan,T.Y.(2019).Mechanicalandreliabilitystudyofcopperthrough-silicon-viainthree-dimensionalintegration.IEEETransactionsonComponents,PackagingandManufacturingTechnology,9(1),78-87.