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FBAR用AlN薄膜的MOCVD制备的开题报告

摘要：

本文介绍了使用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在外延衬底上制备铝氮化物（AlN）薄膜用于“外国账户银行申报（FBAR）”的应用。通过优化反应条件，得到了具有高结晶度和良好厚度均匀性的AlN薄膜。该研究为FBAR应用中AlN薄膜的制备提供了一种有效方法。

关键词：FBAR,AlN,MOCVD,外延衬底

1.引言

外国账户银行申报（ForeignBankAccountReport，FBAR）是美国政府通过《海外账户知情法案》（ForeignAccountTaxComplianceAct，FATCA）实施的一项措施，依据该法案，所有在美国境外的个人、实体等，如持有外国金融账户，都需要向美国财政部门报告相关信息。其中，作为FBAR中的核心元件之一的“共振频率谐振器（Resonator）”需要采用铝氮化物（AlN）材料，因其具有高介电常数、厚度均匀性好以及稳定的机械性能而备受青睐。

2.AlN薄膜的制备

AlN薄膜的制备方法很多，包括分子束外延（MBE）、化学气相沉积（CVD）和金属有机气相沉积（MOCVD）等。在本研究中，我们选择了MOCVD法制备AlN薄膜。

2.1实验装置

实验采用的是4英寸外延衬底的MOCVD生长系统，主要包括进气系统、加热系统、惰性气氛保护系统等，同时配备了反应室内部传感器及数据采