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2023-12-20 发布于四川
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一种自发极化存储单元及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种自发极化存储单元及其制造方法，存储单元包括自发极化电容和晶体管，自发极化电容结构包括第一电极、第二电极和位于第一电极和第二电极之间的自发极化材料层；所述自发极化材料层包括一种或多种具有自发极化特性的非放射性金属氧化物。本发明可以降低自发极化电容的矫顽电场和剩余极化翻转所需的电场，有效降低操作电压，芯片电路中应用的操作电压显著降低，不但省略了复杂的提升耐压的电路，而且也省略了复杂的电荷泵，进而使芯片的制造难度显著降低，也大幅度节约了成本。由于所用的操作电压显著降低到低于击穿电压的4

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117255564A

(43)申请公布日2023.12.19

(21)申请号202311308359.0

(22)申请日2023.10.10

(71)申请人温州核芯智存科技有限公司

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