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本发明涉及一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，其中，IGBT器件的制作方法，包括以下步骤：提供一用于制作IGBT器件的第一晶圆；对第一晶圆的正面执行IGBT正面工艺，以在第一晶圆的正面形成金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管；提供一第二晶圆；向第二晶圆的正面注入氢离子，以在第二晶圆中形成含氢层；将第一晶圆的正面和第二晶圆的正面相对地键合在一起，以将第一晶圆和第二晶圆连接在一起形成晶圆组合；对晶圆组合中的第一晶圆的背面执行IGBT背面工艺；通过退火工艺使第二晶圆在含氢层断裂，以将第二晶圆位于含氢
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117253790A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202311532215.3H01L21/265(2006.01)
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