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一种具有高导热特性的氮化镓晶体管开关器件结构.pdfVIP

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  • 2023-12-20 发布于四川
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一种具有高导热特性的氮化镓晶体管开关器件结构.pdf

    本实用新型提供了一种具有高导热特性的氮化镓晶体管开关器件结构，属于晶体管技术领域，从表面到背面依次包括表面钝化层、源极金属、漏极金属、栅极金属、铝镓氮势垒层、氮化镓缓冲层、氮化铝成核层、碳化硅衬底层以及背面金属层，在碳化硅衬底层内形成有用于吸收热量和散热的空腔结构，空腔结构内表面设置有金属层。本实用新型提供的一种具有高导热特性的氮化镓晶体管开关器件结构，对氮化镓晶体管沟道区域下方导热途径进行优化，带有金属层的空腔结构能提高导热效率，不影响其它区域的碳化硅衬底的完整性，保持了良好的射频性能，具有能

    (19)国家知识产权局

    (12)实用新型专利

    (10)授权公告号CN220208974U

    (45)授权公告日2023.12.19

    (21)申请号202321452730.6H01L23/367(2006.01)

    (22)申请日2023.06

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