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2023-12-23 发布于四川
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本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法，其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层，并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底；采用深硅刻蚀工艺，对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀，以形成多个间隔排列的第一深孔；去除剩余的介质掩膜层，在形成有多个间隔排列的第一深孔的硅衬底上制备第一多晶硅层；采用深硅刻蚀工艺，对第一深孔内的第一多晶硅层进行刻蚀，以在第一深孔内的第一多晶硅层内形成第二深孔，且第二深孔的底面和侧面均设有第一多晶硅层；在第一硅衬底表面的第一多晶硅层上以及所有间隔排列

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117279490A

(43)申请公布日2023.12.22

(21)申请号202311129459.7(51)Int.Cl.

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