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三维半导体存储器件.pdfVIP

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  • 2023-12-23 发布于四川
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三维半导体存储器件.pdf

    一种3D半导体存储器件包括：第一贯通结构，所述第一贯通结构位于衬底上，并且包括在第一方向上彼此间隔开的第一导电柱和第二导电柱；电极，所述电极与所述第一贯通结构相邻，并且在所述第一方向上水平地延伸；以及铁电层和沟道层，所述铁电层和所述沟道层位于所述电极与所述第一导电柱和所述第二导电柱之间。所述沟道层将所述第一导电柱和所述第二导电柱彼此连接。所述铁电层设置在所述电极与所述沟道层之间。当在俯视图中观察时，所述铁电层沿着所述沟道层从所述第一导电柱的侧壁延伸到所述第二导电柱的侧壁。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117279388A

    (43)申请公布日2023.12.22

    (21)申请号202310380563.7

    (22)申请日2023.04.11

    (30)优先权数据

    10-2022-0076036

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