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本发明公开了一种电阻率补掺控制方法，具体涉及单晶硅制备技术领域，包括步骤一、计算需求头部目标电阻率所需掺杂剂重量，步骤二、计算其所含掺杂剂重量，并扣除循环料中带入掺杂剂重量，步骤三、计算掺杂剂挥发及分凝，得出预加掺常量，步骤四、计算首投电阻加掺，步骤五、分段计算后得出加掺重量M，步骤六、分档计算后得出原料中掺杂重量m、步骤七、根据加料次数RCZ给定系数，步骤八、根据理论值与产出间存在差异，制定校正量。本发明能够根据单晶炉台差异、不同温度区间挥发不同及循环料中带入掺杂剂影响等因素，对掺杂剂损失量进
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117265642A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202311131542.8
(22)申请日2023.09.04
(71)申请人乌海市京运通新材料科技有限公司
地
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