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本发明公开了一种EEPROM电路,包括存储单元,由多个存储单元组成阵列单元,由多个阵列单元排列成阵列结构。存储单元为分离栅浮栅器件。阵列结构中设置有选择管、主字线、选择信号线和体电极线。选择管的源极连接对应的本地字线,漏极连接同一行对应的主字线,栅极连接同一列对应的选择信号线,体电极连接同一列对应的体电极线。对选定单元擦除时:选定单元的列对应选择信号线加选择信号,列不同的各选择信号线加0V电压;选定单元的行对应的主字线加正擦除电压;选定单元的列对应体电极线加小于正擦除电压的正偏置电压,列不同的体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117275555A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202311093791.2
(22)申请日2023.08.28
(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
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