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半导体存储器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-12-23 发布于四川
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半导体存储器件及其制造方法.pdf

    可以提供一种半导体存储器件，包括：有源图案，由器件隔离图案限定；位线，在器件隔离图案和有源图案上在第一方向上延伸；位线封盖图案，包括依次堆叠在位线的上表面上的第一封盖图案、第二封盖图案和第三封盖图案；以及屏蔽图案，覆盖位线的一侧。屏蔽图案的上表面可以在比第一封盖图案的上表面低的高度处。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117279371A

    (43)申请公布日2023.12.22

    (21)申请号202310349415.9H01L23/528(2006.01)

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