讲座之二----LD参数要点课件.pptx

第一部分

半导体激光器简介

第二部分

半导体激光器基本工艺

第三部分

半导体激光器光电参数

第四部分

半导体激光器可靠性;3、激光器参数种类

电学参数

阈值电流--Ith

正向电流--IF

正向电压—VF

反向电压—VBR;微分串联电阻—Rs

监视电流—Im

MPD暗电流--I

D;3.2 光学参数

输出功率--Po

峰值波长--λp

光谱半宽—Δλ

边模抑制比—SMSR(仅对DFB LD)

光束半角—θ

消光比—EXT;3.3 热学参数;其它参数

跟踪误差--TE

相对强度噪声--RIN

上升/下降时间—tr/tf

载止频率--fc;参数说明

Ith—阈值电流

定义：在正向电流注入下，LD开始振荡(开始发出激光)时所需要的电流

测量Ith的方法有三：

双斜率法—两条直线延长线交点所对应电流轴的电流

远埸法—用变象管荧屏观察

光谱法—从发射的光谱图上确定Ith;典型P-I/V-I/I-Im曲线

达到阈值时的必要条件;4.2 IF--工作电流

定义：在规定激光器的输出功率下所对应电

流轴的电流值(IF=Ith+ΔI);4.3 VF/Vop--正向导通电压/正向工作电压定义：

在正向驱动电流IF=1mA时所对应X轴交点处的值即为VF

在正向驱动电流IF=Ith+20mA时所对应X轴交点处的

值即为Vop;VF/VOP:正向导通电压/正向工作电压;4.4 VBR/IR--反向击穿电压/反向电流定义：;VBR:反向击穿电压;4.6 RS微分串联电阻(单位：Ω);公式表达式为：;4.7 Im:监视电流(单位：μA)

通过MPD检测到的LD在规定(Ith+20mA)的光输出功率下，在给定的MPD反向电压(Vb=5V)时所检测到的LD背向输出光功率的光电流值

作用：在模块应用中执行自动功率控制（APC）取值：Ｉm=300～800μA;4.8 Id:MPD暗电流(单位为nA)

它是指MPD无光照时，在规定的反向电压(Vb=5V)下所产生的热电流—为暗电流。

暗电流与温度呈线性增加，与足够大的反向偏压无关(即： Vb＜ VBR情况)。;半导体激光二极管光学参数;4.10 Pth：阈值光输出功率(单位mW)

定义：阈值以下自发辐射的光输出功率定义为阈值光输出功率;4.11 ηd：外微分量子效率(单位：mW/mA)

定义：阈值以上P-I曲线线性段dI/dP之比，它是衡量器件把注入的电子-空穴对转换成向外发射光子(输出功率)的效率。

用公式可表示为：;4.11 ηd：外微分量子效率(单位：mW/mA)

ηi为内微分量子效率;αi为腔体??耗;L为激光器腔长;R为腔体端面反射率;Г为光限制因子;A、B为增益系数;d为有源层厚度。

从式(3)可以看出,要降低Jth就要减小d和增大Г,以及增大L。但是,

我们从图5中可以看出, 要想增大Г则需要增大d。因而, 要同时小和增大Γ是不可能的。同样,增加L可以降低Jth,但是从式(4)可知,增加L不会使ηD降低,因此对结构参数的选择就需要兼顾Jth和d,我们取d=1.0～1.5,L=400～500μm。;ηd：外微分量子效率;4.12 λp / λc/ λmean/Δλ ：峰值波长/中心波长/平

均波长/光谱半宽

定义：;注：;F-P腔光谱曲线图;DFB光谱曲线图;λ:LD波长;λc:中心波长;:平均波长

定义：是指所有光谱模式的加权平均值，把幅射度大于峰值2%的模式均计入;Δλ：光谱半宽(Full Width at Half Maximum-FWHM );Sigma σ：光谱半宽(单位：nm)

对于FP LD类产品来说，ITU-T-957建议用最大均方根(RMS)宽度定义为光谱宽度。;θ:光束半宽

θ∥:空间光束平行于LDPN结结平面方向最大强度下降3dB时所对应的全宽度定义为平行发散角

θ⊥：空间光束垂直于LDP-N结结平面方向最大强度下降3dB时所对应的全宽度定义为垂直发散角

用公式表示为：;θ:光束空间远埸结构示意图;4.15 SMSR：边模抑制比(单位：dB)

(仅对于DFB LD而言)

定义：是指在发射光谱中，在规定的输出光功率和规定的调制(或CW)时最高光谱强度与次高光谱强度之比

根据ITU-T-G957要求SMSR≥30dB;SMSR 曲线说明;热学参数

LD热阻：RT(单位：℃ / W)

RT定义为加在器件单位电功率所引起的结温升;从上式可知,只要测量出结温升ΔTj和正向注入电流IF以及正向结压降VF值,就可计算出RT值

对结温升ΔTj的测量,一般有两种方法:

正向压降法

正向压降法,是根据已知的结电压随结温温度变化的关系,测量出结电压的变化来计算结温升。这种方法简单易行,但测量结果误