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- 2023-12-27 发布于四川
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一种单晶钻石晶圆及单晶钻石的制造方法，包括一在高压下生长表面为单晶钻石而支撑体为非钻石单晶的晶圆、一在低压下生长表面为单晶钻石而支撑体为非钻石单晶的晶圆以及利用多次生长来生长大单晶钻石的方法，可以用于生长大面积单晶钻石晶圆或单晶钻石。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117286572A
(43)申请公布日2023.12.26
(21)申请号202210680857.7
(22)申请日2022.06.16
(71)申请人宋健民
地址中国台湾新北市淡水
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