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本申请提供一种SiC晶片低崩边划切加工工艺方法，加工工艺方法包括：从半导体原料库中选取目标SiC晶片并进行分析，得到目标材料参数；根据目标材料参数选取目标砂轮，获取目标砂轮的目标砂轮参数；获取用于划切目标SiC晶片的砂轮划片机的划片机参数，选定对目标SiC晶片的加工工艺参数；确定划切实验策略，进行划切实验策略得到划切实验数据；计算每种因素对切割道最大崩边宽度影响情况，得到崩边因素集合；计算得出最优加工工艺参数；根据最优加工工艺参数对目标SiC晶片进行划切加工。本申请通过上述加工工艺方法解决了Si
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117283434A
(43)申请公布日2023.12.26
(21)申请号202311199623.1
(22)申请日2023.09.18
(71)申请人沈阳仪表科学研究院有限公司
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