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ZnOMOCVD的生长与性质研究的开题报告

一、选题背景

氧化锌（ZnO）是一种重要的半导体材料，具有宽带隙（3.37eV）、高透过率、高化学稳定性、高导电性和磁性等优良的物理和化学性能，因此在电子、光电子、传感器等领域有广泛应用。其中，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术生长ZnO薄膜，具有高效、低成本、高质量的优点，已成为制备ZnO材料的主要方法。

然而，ZnOMOCVD生长技术仍然存在一些问题，如杂质掺杂、缺陷密度增加等，导致其电学性能下降，从而限制其应用。因此，对于ZnOMOCVD生长过程及其薄膜性质的研究，具有重要意义。

二、研究内容

本文拟围绕ZnOMOCVD生长及其薄膜性质展开研究。具体研究内容如下：

1.MOCVD技术基本原理及其在ZnO生长中的应用。

2.ZnOMOCVD生长过程中参数对生长速率、结晶度和表面形貌等方面的影响。

3.利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）等仪器对生长得到的ZnO薄膜进行性质表征，包括其结构、形貌、组成、光学性质等。

4.对ZnO薄膜的导电性、光反应性等性质进行测试，分析其性能与生长条件的关系。

三、研究意义

1.对ZnOMOCVD技术生长过程及其薄膜性质进行深入研究，有助于掌握生长过程中各参数对其性质的影响规律，进一步优化生长过程，提高生长薄膜的质量。

2.研究得到的ZnO薄膜性能表征方法和测试结果，有益于进一步探究材料的潜在应用领域，如光电子、传感器等。

3.本文所进行的ZnOMOCVD技术生长及性质研究，还为材料科学领域相关领域的研究提供了借鉴和参考。