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2023-12-30 发布于四川
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本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种原子层沉积反应腔室和原子层沉积设备。本申请实施例提供了一种原子层沉积反应腔室，包括腔体和加热载盘。腔体具有出气口，作业人员可通过该出气口拿放样品。加热载盘设置于腔体中，用于承载样品且对样品加热，即样品放置于加热载盘上。转动件可转动地设置于腔体底部，且转动件的驱动端伸入腔体中与加热载盘连接，以带动加热载盘转动，加热载盘又带动样品转动，从而样品的各个区域均会依次经过腔体的出气口，一定程度上避免了样品的局部区域一直位于靠近腔体出气口的位置，导致温度较其他区域更

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117305813A

(43)申请公布日2023.12.29

(21)申请号202311536020.6

(22)申请日2023.11.17

(71)申请人嘉兴中科微电子仪

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