一种MEMS半导体芯片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-12-30 发布于四川
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本发明涉及半导体芯片技术领域,具体涉及一种MEMS半导体芯片及其制备方法,包括:从下往上依次包括第一材料层、第二材料层、第三材料层和第四材料层,第三材料层的上表面设置有金属电极和检测元件,所述金属电极与所述检测元件电连接,第四材料层包裹所述金属电极和检测元件;第四材料层的材料包括AlN。本发明通过四层材料层,能有效的支撑起检测气体或检测液体时的应力要求,延长MEMS半导体芯片使用寿命,可有效的降低成本,第四材料层的材料包括AlN,第四材料层包裹所述金属电极和检测元件,具有良好的高导热性,能提高液

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117303303A

(43)申请公布日2023.12.29

(21)申请号202311403159.3

(22)申请日2023.10.27

(71)申请人北京六知科技有限

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