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- 2023-12-30 发布于四川
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本发明涉及一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法及芯片，其特征在于：方法为所述带隙基准源中的晶体管增加dummy三极管或dummy二极管，从而降低温度变化对所述晶体管的基极发射极电压差造成的影响。本发明结构简单、不影响现有电路，只从工艺上对漏电进行抵消，通过两种不同方式实现了芯片面积与性能之间的平衡，使得该方法能够根据需求适用于各种不同的带隙基准电路。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117311436A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202210699296.5
(22)申请日2022.06.20
(71)申请人圣邦微电子（北京）股份有限公司
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