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栅极冷阴极结构碳纳米管管束阵列场发射性能的研究的开题报告

该开题报告将围绕栅极冷阴极结构碳纳米管管束阵列场发射性能的研究展开。本文将主要探讨以下几个问题：

一、研究背景和意义

随着微纳技术和纳米材料研究的发展，碳纳米管作为一种新型的纳米材料，具有优异的电学、机械和光学等性能，因此被广泛关注。而碳纳米管场发射的优异性能，更是使其在微纳电子学、平面阵列显示和微纳发电等领域有着广泛的应用前景。因此，研究利用碳纳米管制备阵列管束，实现场发射性能的优化和控制，对于加速碳纳米管在相关领域的应用具有非常重要的意义。

二、研究目标和内容

本文旨在利用栅极冷阴极的技术手段，制备碳纳米管管束阵列，探究栅极结构对碳纳米管的场发射性能的影响，并对其性质进行表征和分析。重点研究的内容包括：

1.碳纳米管生长和制备的方法及条件；

2.利用栅极冷阴极的技术手段，制备碳纳米管管束阵列；

3.测量和分析管束阵列的场发射性能，分析栅极结构对其性能的影响；

4.对结果进行分析和总结，探讨碳纳米管场发射的优化方案。

三、研究方法和步骤

1.碳纳米管的制备和阵列管束的制备：采用化学气相沉积法制备碳纳米管，并利用栅极冷阴极的技术手段制备碳纳米管管束阵列；

2.测量场发射性能：利用场发射仪测量管束阵列的场发射性能，并分析不同栅极结构的影响；

3.性质表征和数据分析：对实验结果进行表征和分析，总结不同操作条件下的场发射性能，并探讨碳纳米管场发射的优化方案。

四、预期成果

通过对栅极冷阴极结构碳纳米管管束阵列的场发射性能的研究，预期得到以下成果：

1.利用栅极冷阴极技术，成功制备出碳纳米管管束阵列；

2.探究栅极结构对管束阵列场发射性能的调控机制，得出相关的性能参数；

3.对实验结果进行分析和总结，探讨碳纳米管场发射的优化方案；

4.完成一篇学术论文，并具有一定的创新性和学术价值。