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2024-01-03 发布于四川
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晶圆切割方法.pdf

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本申请实施例提供一种晶圆切割方法，涉及晶圆切割技术，属于半导体芯片技术领域，目的是为了解决现有工艺中SiC晶圆切割损耗量大，导致SiC产出率低的问题。本申请的晶圆切割方法包括步骤：利用激光对器件片晶圆进行切割；将切割后的器件片晶圆与衬底晶圆进行键合，得到键合后的晶圆；以及对器件片晶圆进行剥离。本申请实施例对晶圆先切割、再键合、最后进行剥离，工艺流程简单，且切割时激光无需穿过衬底晶圆，切割位置更容易控制，且产生的改质层厚度仅为50nm，后续剥离过程中损耗的SiC厚度也仅为50nm，剩余的SiC衬底

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117334572A

(43)申请公布日2024.01.02

(21)申请号202311300764.8

(22)申请日2023.10.09

(71)申请人苏州龙驰半导体科技有限公司

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