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硅栅P阱CMOS反相器版图设计举例5.刻NMOS管S、D6.刻接触孔7.反刻Al(W/L)p=3(W/L)n1.刻P阱2.刻有源区3.刻多晶硅栅4.刻PMOS管S、D
1.刻P阱2.刻有源区3.刻多晶硅栅
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VDDVoViVss7.反刻Al6.刻接触孔VDDViVssVo
光刻1与光刻2套刻光刻2与光刻3套刻
光刻3与光刻4套刻光刻胶保护光刻4与光刻5套刻光刻胶保护刻PMOS管S、D刻NMOS管S、DDDSS
光刻5与光刻6套刻VDDViVssVo光刻6与光刻7套刻VDDViVDDVoViVssVDDViVssVo
ViVoT2W/L=3/1T1W/L=1/1PolyDiffAlconP阱ViVssVoVDD
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