材料科学基础第六章：单组元相图及纯晶体的凝固.pptVIP

2.晶体长大方式和生长速率a.连续长大（Continousgrowth)晶体的长大方式可有连续长大、二维形核、螺型位错长大等方式。连续长大的平均生长速率由下式决定：（m/s·K）金属陶瓷粗糙界面晶体垂直生长晶体的吸附生长和沿晶面生长(稳定的界面迁移率小，不稳定的界面迁移率大)b.二维形核(Two-dimensionalnucleation)二维形核的平均生长速率由下式决定：二维形核的生长方式由于其形核较大，因此实际上甚少见到。二维形核长大机制示意图c.借螺型位错生长(Growthatthestepofscrewdislocation)螺位错形核的平均生长速率由下式决定：由于晶体缺陷有限，故长大速率较低，即μ3μ1螺型位错台阶长大机制示意图连续长大、螺型位错长大及二维晶核时长大速率和过冷度之间的关系比较示意图晶体的螺型台阶长大示意图ZnO微晶生长在晶粒相遇前，晶核的半径：式中τ为晶核形成的孕育期。设晶核为球形，则每个晶核的转变体积：6.2.5结晶动力学及凝固组织1．结晶动力学形核率定义：正在转变的体积中的真实晶核和虚拟晶核定义一个假想的晶核数（ns)作为真实晶核数（nr)与虚拟晶核数（np)之和：在t时间内假想晶核的体积：令