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模电期末汇总
1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5,导通后在较大电流下的正向压降约为
0.7;锗二极管的门槛电压约为_0.1_,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_。
二.二极管正向电阻小;高反向电阻。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。pn结外加正向电压时,扩散电流大于漂移
电流,耗尽层变窄。
4.二极管最重要的电气特性是单向导电性。使用齐纳二极管时,齐纳二极管与负载并
联,并且必须在齐纳二极管和输入电源之间添加电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变
化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。
6.当PN结反向偏置时,PN结的内部电场增加。PN具有单向导电性。
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其
门坎电压vth约为0.5伏。8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散
运动形成。
9.P型半导体有空穴,n型半导体有自由电子,本征半导体有电子-空穴对。
10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(p)半导体和电子(n)半导体两大
类。
11.二极管最重要的特性是单向导电性。它的两个主要参数是反映正向特性的最大整
流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5,导通后在较大电流下的正向压降约为
0.7。
13.频率响应是指输入正弦信号时,输出随频率持续变化的稳态响应。
15、n型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
16.根据三极管在一个周期内的导通角,功率放大电路可分为三种基本类型:a类、B
类和a、B类。
17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频
信号放大的是结电容。
18.在由NPN三极管组成的基本公共发射放大器电路中,如果电路的其他参数保持不
变,则β随的增加而增大,IBQ增大,ICQ增大,uceq减小。
19、三极管的三个工作区域是截止,饱和,放大。集成运算放大器是一种采用直接耦
合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压
va=1.2v,vb=0.5v,vc=3.6v,试问该三极管是硅管管(材料),npn型的三极管,该管的集
电极是a、b、c中的c。21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60db
和20db,则该放大电路总的对数增益为80db,总的电压放大倍数为10000。
22.三极管实现放大的外部条件是:发射结的正偏压和集电极结的反偏压。对于放大
器电路中的三极管,测得的管脚电压Va=-1V,VB=-3.2V,VC=-3.9v。这是一个NPN型硅管
(硅和锗),集电极引脚是a。
23、三种不同耦合方式的放大电路分别为:阻容(rc)耦合、直接耦合和_变压器耦
合_,其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。
24.在多级放大电路中,后一级的输入电阻是前一级的负载,前一级的输出电阻可视
为后一级信号源的内阻
阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。
25.当负载开路时,放大器电路的输出电压为4V,在负载电阻后连接到12KΩ,输出
电压下降到3V,表明放大电路的输出电阻为4KΩ
26、为了保证三极管工作在放大区,要求:
①发射结正向偏置,集电极结反向偏置。②对于NPN三极管,VBC应小于0。
27、放大器级间耦合方式主要有阻容(rc)耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。
28.在由三极管组成的三种不同的放大电路配置中,共发射极和共基极配置具有电压
放大功能,共发射极配置具有电流放大功能,共发射极和共集电极配置具有相位反转功能;
公共集配置具有较强的负载能力,公共集配置从信号源所需的电流较小,公共基配置的频
率较低
响应好。29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。30、多级放大器
各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合,阻容耦合,变压器耦合。
31.在单级公共发射放大器电路中,如果输入为正弦波形,则用示波器观察
0
如果观察到VO和VI的波形,VO和VI之间的相位差为180;当它是一个公共集电极
电路时,VO和VI之间的相
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