一、增强型场效应管;绝缘栅型场效应管MOSFE
Metal-OxideSemiconductorFieldEffectTransistor;绝缘栅场效应管也有N沟道和P沟道两种,每一种又分为增强型和耗尽型两种。下面以N沟道增强型MOS场效管为例,来说明它的工作原理。
(1)结构与电路符号;(2)增强型NMOS管的工作原理;(2)增强型NMOS管的工作原理;;1.开启电压UT
栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。;场效应管使用注意事项;四、场效应管和三极管的特点比较;小结;第一讲结型场效应管;场效应三极管;N沟道;;P沟道结型场效应管结构图;N沟道结型场效应管用改变UGS大小来控制漏极电流ID的。(VCCS);1.当UDS=0时,uGS对导电沟道的控制作用;调整栅源电压UGS的值,可以改变导电沟道的宽度,从而调整沟道的导通电阻。若在漏源极间加上固定的正向电压UDS,则由漏极流向源极的电流ID将受UGS控制。;2.uDS对漏极电流iD的影响。;G;结论:(1)改变uGS,改变了PN结中电场,控制了iD,故称场效应管;
(2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压,使PN结反偏,栅极基本不取电流,因此,场效应管输入电阻很高。
(3)预夹断前,iD与uDS呈
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