基于薄膜铌酸锂波导的垂直光学耦合器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-01-06 发布于四川
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基于薄膜铌酸锂波导的垂直光学耦合器件及其制备方法.pdf

本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂波导的垂直光学耦合器件及其制备方法,器件包括衬底、铌酸锂波导结构、包层、金属反射镜结构、键合层和光电监控探测器,其中,铌酸锂波导结构包括铌酸锂波导和埋氧层;铌酸锂波导结构和包层中设置有开口朝向光电监控探测器的斜面开口结构,斜面开口结构贯穿包层且嵌入预设深度的埋氧层,斜面开口结构的侧面与光电监控探测器的收光面成预设角度的夹角;金属反射镜结构设置于相对于铌酸锂波导入射光方向的斜面开口结构的侧面上;金属反射镜结构用于反射入射光并吸收埋氧层中的杂散光。本发明实施例减少了杂散

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117348160A

(43)申请公布日2024.01.05

(21)申请号202311296629.0G02B5/08(2006.01)

(22)申请日2023.10.0

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