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具有刻蚀停止层的p-GaN有源钝化GaN HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

具有刻蚀停止层的p-GaN有源钝化GaN HEMT器件及其制备方法.pdf

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    本发明提供了一种具有刻蚀停止层的p‑GaN有源钝化GaNHEMT器件及其制备方法。其中，GaNHEMT器件，包括：自下而上依次设置的衬底层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；沿AlGaN势垒层的上表面设置有源极和漏极；源极和漏极位于AlGaN势垒层的两端；在源极和漏极之间的目标区域自下而上设置有宽度相同的p‑GaN有源钝化层和渐变Al组分AlGaN刻蚀停止层；在渐变Al组分AlGaN刻蚀停止层上的部分区域设置有p‑GaN层，在p‑GaN层上的部分区域设置有栅极；沿漏极内侧壁至源极

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117352547A

    (43)申请公布日2024.01.05

    (21)申请号202311309518.9

    (22)申请日2023.10.10

    (71)申请人西安电子科技大学

    地址7100

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