集成电路-光刻工艺(共41张PPT).pptxVIP

集成电路_光刻工艺;2;3;4;5;6;7;8;9;10;11;12;13;14;15;16;17;18;19;20;21;22;23;24;紫外光为光源的曝光方式:

O-Si(CH3)3

图形内无针孔，图形外无小岛，不染色；

分步重复曝光光学原理图

（1）影响分辨率的因素：

＋(CH3)3SiNHSi(CH3)3

然后带有共形掩膜的硅片在远紫外光下曝光，进一步处理，最后得到了分辨率相当高的线条和间隙结构图形。

DNQ-酚醛树脂光刻胶的化学反应

(光活泼化合物)

掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多，克服了小图形制版的困难。

C、掩膜版的质量和套刻精度直接影响光刻精度;

C、掩膜版的质量和套刻精度直接影响光刻精度;

电子束曝光的特点：

2?m,金属离子含量很少

一、材料的形变小，这样制成的图形尺寸及其相对位置的变化可以忽略。

六甲基二硅亚胺HMDS反应机理;26;27;电子束曝光改变光刻图形十分简便。

C、掩膜版的质量和套刻精度直接影响光刻精度;

避免了掩膜版与硅片表面的摩擦，延长了掩膜版的寿命。

然后带有共形掩膜的硅片在远紫外光下曝光，进一步处理，最后得到了分辨率相当高的线条和间隙结构图形。

C、掩膜版的质量和套刻精度直接影响光刻精度;

远紫外光作为曝光方法通常有两种：

对准曝光和泛光曝光(不必对准)。

电子束曝光改变光刻图形十分简便。

（1）影响分辨率的因素：

然后带有共形掩膜的硅片在远紫外光下曝光，进一步处理，最后得到了分辨率相当高的线条和间隙结构图形。

电子束曝光不要掩膜版。

C、掩膜版的质量和套刻精度直接影响光刻精度;

由于使用了缩小透镜，原版上的尘埃、缺陷也相应的缩小，因而减小了原版缺陷的影响；

聚乙烯醇肉桂酸酯KPR胶的光交联(聚合)

＋(CH3)3SiNHSi(CH3)3

掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多，克服了小图形制版的困难。

＋(CH3)3SiNHSi(CH3)3

负胶：曝光前可溶，曝光后不可溶;29;30;31;32;33;34;35;36;37;38;39;40;41