电子技术课件--第8-2章-存储器.pptVIP

第六章半导体存储器;6.1概述

;二、存储器的分类;三、存储器的主要技术指标

1.存储容量：所存放信息的多少，用Bit表示

2.存储时间：用读〔写〕周期表示;;按使用的器件的类型;;ROM的用途;一、掩模只读存储器

1、ROM的电路结构***

ROM的电路结构包含存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三个组成局部;2、ROM电路的工作原理[地址原1非0；数据连1断0];ROM中的数据表【预先已经设置，用户不可改变！】;二、可编程只读存储器(PROM)

;原理〔写入过程〕：;;1.UVEPROM;2.E2PROM;3、快闪存储器

快闪存储器既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保存了E2PROM用隧道效应檫除的快捷特性，而且集成度可以做得很高。;可读可写

读写方便

所存储信息会因断电而丧失;一、静态随机存储器(SRAM)

1、SRAM的结构***和工作原理

SRAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读／写控制电路三局部组成。;;;〔六管NMOS静态存储单元〕;原理：;二、动态随机存储器(DRAM)

1、DRAM的动态存储单元的特点

1〕利用MOS管栅极电容的电荷存储效应来组成动态存储器。

2〕栅极电容的容量很小(通常仅为几皮法)，漏电流又不可能绝对等于零，所以电荷保存的时间有限

3〕为了及时补充漏掉的电荷以防止存储的信号丧失，必须定时地给栅