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LED封装中荧光粉的选择与解决方案

白光LED因其高效、节能、寿命长、无污染、可靠性高等优点，被誉为第四代绿色照明光源。随着LED发光效率的稳步提升以及价格的不断下降，目前LED灯的光效已经可以达到

1501m/W,半导体照明将逐步取代白炽灯和普通荧光灯等传统照明光源。

白光LED的制作方式主要有两种，一种是采用红、绿、蓝三基色LED芯片封装成白光LED,另一种是利用单个LED芯片配合荧光粉。后一种方式在生产成本、散热和控制电路上具有优势，在工业上最为常用。因而，荧光粉是半导体照明的关键材料之一。目前，LED用

的荧光粉主要有三大体系，即铝酸盐、硅酸盐和氮(氧)化物，其各自特性见表1。

表1三类LED荧光粉的特性

L印炎光粉

激发范围

(nm)

发射范围

(m)

量子

效率

化学

稳定比

热稳定出

铝酸盐

340~480

520~580

中国

90%半导

佳

体照明网

佳

硅酸盐

300~480

WWi

500~610

Ch

90%

欠佳

欠佳

氰(氧)化物

300~500

500~670

90%

佳

佳

一、不同体系的LED荧光粉特性

1.铝酸盐体系主要有铈激活石榴石型荧光粉，如Y3A15012:Ce3+(YAG:Ce3+),

Tb3A15012:Ce3+(TAG:Ce3+)和Lu3A15012:Ce3+(LuAG:Ce3+)。YAG粉和TAG粉为常用的黄粉，LuAG粉为绿粉，量子效率均大于90%,同时具有优良的化学稳定性和热稳定性。下面以YAG

粉为例，对基质晶体结构、光谱特性和热稳定性进行简要介绍。

图1为YAG的晶体结构图(立方晶系),空间群Ia-3d[1]。晶胞中存在两种位置的Al,即A11和A12,分别形成A106八面体和A104四面体。

图2为YAG:Ce3+的激发光谱(a)和发射光谱(b)。在激发光谱中，位于340nm和460nm

左右处有两个宽带激发峰，这分别归属于Ce3+的2F5/2(或2F7/2)→2D5/2和2F5/2(或

2F7/2)→2D3/2跃迁。发射主峰则位于530nm处，为宽带发射，对应于Ce3+的2D3/2→2F5/2

和2D3/2→2F7/2辐射跃迁[2]。适用于匹配蓝光LED芯片封装白光LED。

RelativeIntensityla.u.RelativeIntensityla.

RelativeIntensityla.u.

RelativeIntensityla.u

图1YAG的晶体结构图

Wavelength/nm

Wavelength/nm

图2YAG:Ce2的激发光谱(a)和发射光谱(b)

RdlativeIntensity图3为YAG:Ce3+在不同温度下的发射光谱及发光强度变化[3].从图中可以看出，随着温度的升高，YAG:Ce3+的发射峰逐渐红移，且发射峰强度逐渐降低。温度为100℃时，发射

RdlativeIntensity

峰强度仅为常温下38%。

Xavelength(nm)

Temperature(C)

图3YAG:Ce3*在不同温度下的发射光诸及发光强度麦化团

YAG粉和LuAG粉的上位发明专利为日本日亚化学(Nichia)拥有，专利号：US5,998,925,优先权日：1996.7.29。TAG粉的专利为德国欧司朗(OSRAM)占有，专利号：US6,669,866,

优先权日：1999.7.23。

2.硅酸盐体系主要有M2SiO4:Eu2+和M3SiO5:Eu2+(M=Ca,Sr,Ba)荧光粉。前者可作为绿

粉和黄粉，后者是橙色粉。这类硅酸盐荧光粉的化学稳定性和热稳定性相对要差一些。

下面以Sr2Si04:Eu2+和Sr3Si05:Eu2+为例，对基质晶体结构、光谱特性和热稳定性进行介绍。

图4为Sr2Si04的晶体结构图(斜方晶系),空间群Pmnb[4]。晶胞中同时存在两个位置

的Sr,即Srl和Sr2,分别为8配位和7配位。

图4Sr?SiO?的晶体结构图

图5为Sr2Si04:Eu2+的激发光谱和发射光谱[3],激发光谱为200nm～500nm的宽带，可与紫外LED、近紫外LED和蓝光LED芯片配合封装白光LED。发射峰为中心位于550nm的

宽带发射，归属于Eu2+的4f65d1-4f7跃迁。

Wavelength(nm)

图5Sr?SiO;Eu2+的激发光谱和发射光谱P

图6为Sr2SiO4:Eu2+在不同温度下的发光强度的变化。从图中可以看出，温度为100℃