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本发明提供一种低品位硫化铜矿电位调控生物堆浸工艺，包括如下步骤：对低品位硫化铜矿的矿石进行铜物相组成分析，根据分析结果确定生物堆浸过程中的氧化还原电位适宜范围。然后，将矿石粉碎至粒度为1000mm内，加入硫酸混合均匀，进行筑堆；配制培养基，培养由铁氧化菌和硫氧化菌组成的浸矿细菌，并向堆内接种；通过控制浸矿细菌菌群中铁氧化菌与硫氧化菌比例、堆内充气量和pH值、浸出液铁元素浓度，以调控堆浸过程的氧化还原电位至氧化还原电位适宜范围，直至堆浸结束。该工艺根据不同矿石中铜物相组成的差异适配堆浸过程的氧化还
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117363890A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311244572.XC12N1/20(2006.01)
(22)申请日2023.09.2
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