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有机场效应晶体管的结构和工作原理

有机场效应晶休管由三个电极即源极(source)漏i(drain)极、棚极(ga1c)、有机半导休层和棚绝缘层组成。根据器件们结构，有机场效应晶体管可以分为四类．底棚底接触式、顶棚顶接触式、顶棚底接触式和底棚顶接触式（图l)。底棚和顶棚是根据棚极的位涅来划分，底棚是棚极沉积在棚绝缘层们下方，顶棚是棚极沉积在有机半导体和绝缘层上方 而顶接触和底接触是根据有机半导体和源湿电极们位涅来划分，顶接触是有机半导休先生长在棚绝缘层上再进行源湿电极的沉积，而底接触是有机半导体的基底是源湿电极和栅绝缘层。不问的器件结构会引起不问的载流子注入方式和器件性能，比如在底棚底接触中，载流子可以直接从电极边缘注入导电沟道中，而在底棚顶接触中，有机半导休把源湿电极和导电沟道隔开，从电极向导电沟道注入的载流子必须穿过有机半导休层才能到达导电沟道中，这样很有可能会增加接触电阻而导致载流子的注入效序降低，但是这种结构们器件由千电极与有机半导休们接触而积相对较大，在有机半导体层很呥

的t甘况下，接触电阻反而变得很小另外，由千顶接触是有机半导休材料直接沉积在绝

缘层上，朕们质昼也比较优质，因此器件们性能比底接触们较好一些。但是从制作器件的工艺方而考虑，顶接触是源漏电极沉积在有机半导休呥朕上，很可能对有机半导休引起一些负而影呥，比如破坏有机半导体的结构等．另一方而，顶接触器件尺寸和栠成度不能做到比底接触的小和商，因此，顶接触不宜进行大而积的生产，在一定程度上限制了其实际应用．

有机半导体 L 源极 J有机尹郘 i 泪极 i

珑极 I | “ J

绝缘尼 绝缘层

栅极

l 榄极

买底 基底

底扭l底接触式 底扭l顶接舶式

r扭极 ］

r

绝缘层

有机半导体

罚极 示1及

册极

绝缘兵

诱极 玩极

有机半导体

忑底 丕底

顶扭1底接触式

顶栅顶接触式

图）有机场效应管的经典结构

1.2.2 有机场效应晶体营的工作原理

有机场效应晶休管是一种基千有机半导休们有源器件，源极向导电沟道中注入电荷．湿极收共从导电沟道中流出的电荷，棚极诱导有机半导休与绝缘帛界而产生电荷形成导电沟道。整个有机场效应晶休管可以看做是一个电容器，棚极是电容器的一个极板，位

千沥淄电极之间i］

导电沟道是电容器I］

另一极板，而夹在中间们棚绝缘层相当千电容器

的绝缘板。例如，在底棚顶接触（图2)有机场效应晶休管中，当棚压和源漏电压均为零们时候，器件处于关闭状态。外加一定们棚压(Yo)，有机半导休层和绝缘层界而诱导产生电荷，在源漏电压为零时，电荷均匀们分布在沟道中，施加一定们源漏电压(Ysol,感应电荷参与导电。通过调节棚压们大小改变电容器电场强度，调节导电沟道中电荷密

度，改变导电沟道的宽窄从而控制电流的大小。因此，有机场效应晶体管是一种压控型的有沥器件．119-211

L

有机半导体层绝缘层

扭极

VG

图2底栅顶接触有机场效应晶体管结构，L与W代表沟迫长度和宽度

当器件处千开启状态时，漏电流满足下而二个方程式·

lso=(W/L)ftC;(Yo-YT)Yso (I)

lso=(W/2L)ftC;(Yo击） (2)

其中，VT是俅值电压，C，是绝缘层单位而积的电容，μ是载流子迁移序。当VG大千俅值电压且固定在某一数值时，Yso很小(IYsolIYo-Y计），此时，导电沟道中的电荷密度是线性减少，有机场效应晶体管处千线性工作区，湿电流可以通过方程式（I)计莽得到，随诸Yso的增大，当IYsol=IYo．对时，器件处千预夹断状态，Yso进一步增大，当IVsolIYo·Y计时，预夹勒区域向源极仲展，漏极附近无感应载流子产生，器件被夹勒．电流达到饱和，器件将处千饱和工作区，漏电流可有方程式（2)计算得到，此后再加大Yso?电流无变化。关千一个器件到底是P型还是N型亦或是双极性，这主要取决千·所采用的有机半导体的性质。其实对一个独特的有机半导休，它既拥有止的载流子又拥有负的载流子，当止的载流子起主导作用的时候，对应的有机半导体就是P型，反之，当负的载流子起主导作用的时候，对应的有机半导体就是N型。另外，一个材料表现出P型还是N型很大程度上还与器件的结构和应用的环极条件有关：当合适的注入接触，采用无陷阱绝缘层和提供合适的环垃条件，大多数有机半导休材料可表现出电子或空穴具有相问数昼级的迁移率来．

I.I影响器件性能的一些因素

亳无疑问，有机半导休材料是决定器件性能的录重要的因素之一。原则上，有机半导体中载流子的迁移序越商越好