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光耦隔离（驱动）电路

（V1.0）

一、 本文件的内容及适用范围

本文详细分析了非线性光耦的结构、重要参数，并以此为依据讲解了光耦的应用设计原则及隔离（驱动）电路的设计步骤与方法，最后对单片集成数字隔离器做了简单介绍。适用于作为艾诺公司开发工程师新项目硬件开发过程、产品设计修改过程、产品问题分析过程、工程师培训的指导性模块与参考文件。

本文中的“光耦”指非线性光耦。本文中的过程与方法不能完全应用于线性光耦。

二、 光耦

光电耦合器opticalcoupler/optocoupler，简称光耦。是设计上输入与输出之间用来电气隔离并消除干扰的器件。因线性光耦特有其特点及设计方法，本文在此仅单独讨论在公司产品上广泛应用非线性光耦。

2.1光耦在公司仪表上的主要应用

根据光耦的类型在公司仪表上主要有以下几个方面的应用：

1、 数字信号隔离：非线性光耦，如6N137对高速数字信号如SPI、UART等接口的隔离。

2、 模拟信号隔离传递：线性光耦。隔离驱动：普通输出型，如TLP521对IO信号的隔离；达林顿输出型主要用于需要大驱动电流的场合，如继电器的驱动和隔离。

2.2公司主要应用的主要非线性光耦类别、型号及参数特点

主要类别：

1、 通用型：TLP521、PC817等。

2、 数字逻辑输出型（高速、带输出控制脚）：6N137及其变种HCPL06系列等。

3、 达林顿输出型：4N30、4N33等。

4、 推挽输出型（MOS、IGBT驱动专用）：TLP250、HCPL316等

艾诺公司截止到2010年12月常用光耦型号统计及分类见表格《艾诺光耦201012.XLS》。

2.4光耦基础知识

1、光耦结构及原理示意

光耦的主要构成部分：LED（电-＞光）、光电管（光-＞电）、电流放大（Hfe）部分。

非线性光耦按输出结构分为：普通型、达林顿输出型（高电流传输比，带不带基极引脚）、逻辑输出型（高速或有控制端）、专用型（内部带推挽，如MOS/IGBT驱动光耦）、双向光耦（LED部分为两个发光管反向并联，可响应交流信号）。

.LED■ColletLurEmitter光耦一般原理图ran□熟圆莽—光耦内部结构示意图光耦原理示意图ffflilter

.LED■

ColletLur

Emitter

光耦一般原理图

ran□

熟圆莽—

光耦内部结构示意图

光耦原理示意图

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图3,带基极引脚的光耦原理示意图

图4,达林顿输出型（不带基极引脚）示意图

图5,达林顿输出型（带基极引脚）示意图

图6,输出带控制的光耦示意图

图7,IGBT/MOS专用光耦（内部带推挽）

图8,双向光耦（在公司应用极少，本文未包括相关内容）

2、光耦的主要参数简介

（1）VISO（或BVS）isolationvoltage隔离电压：输入端与输出端之间可以承受的交流电压最大值。一般情况下，只在有限的测试时间内有保证（如1分钟）。

VEtagie - ] IW四0（AC,、W -Vrms

（Note1）:Beviesconsideredatwoterminaldevice:LEDsidepinsshortedtogethera_n（l

DETECTORsidepinsshortedtogether.

（2）Topr,operatingtemmprature工作温度：器件正常工作所允许的温度范围。是指环境温度。当温度上升，器件带载（承受功耗）能力下降。

■I 「〔TPL521的工

作温度范围是环境温度-55~+100度。

（3）IF，ForwardCurrentofLED，发光管能够允许的正向电流最大值，二极管流过电流不超过If时，在环温25度下，保证不会因为功耗而损坏。

CHARACTERISTIC

SYMBOL

KAT11NG

UNIT

TLP521-1

TLP521-2

TLP521-4

ForwardCurrent

IF

70

50

mA

TLP521-1的LED正向电流允许最大值为70mA。

（4）VR，reversevoltageofLED发光管所能承受的最大反向电压。超过此电压，发光管会有突然增大的反向电流且无法发光，会导致光耦损坏或无法恢复的规格下降发生。

|菖ReverstVoltage Vr 5一一 I、

（5）PD（C/T），powerdissipation,环温25度时，光耦所能允许的最大功耗。环温温度上升，此值下降（derating）。

CHARACTERJSTin

SYMBOL

RULING

UNIT

TLP521-L

TLP521-2

TLP5214

CollectorPowerDissipation(1