锗的性质和应用.docxVIP

锗 的 性 质 和 应 用

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图1.1 褚的电子能带结构图叽

带图（图I.])可以证明铸是间接带隙材料，它的导带录低点和价带最高点并不重合。不同于rn-V族材料，如GaAs,lnSb等，他们的导带最低点位于布里渊区(Brillouinzone)的中心，也称为r点。同样是间接带隙材料的四族元素硅的导带最低点位于X点附近，即布里渊区沿[IDO)方向的边缘，而佬的导带最低，点位于L点，即布里洲区沿[111)方向的边缘。因此，当电子从错的价带项跃迁到导带底时，不仅需要能量转换，还需要动量转换，即芦子的参与．

铸用于光吸收

需要释放或吸收声子限制了间接带隙半导体对光吸收的几率，因此，间接带隙半导体在间接带边的吸收系数很低。当光子能量达到直接带院的值，由于不需要声子的参与，吸收系数会显著增加。对于直接带隙半导体，这个吸收边会非常尖锐。错的情况比较特殊，直接和问接带胜的差距只有140meV,当能世达到直接带隙时，直接吸收边由于间接跃迁的干扰而展宽，绪的低带隙使得吸收边进入近红外，刚好可以用于通讯波段的光探测器。

如今，体错在一些领域被用于光探浏器，其光电二极管已