磁敏传感技术.pptVIP

第31页，讲稿共77页，2023年5月2日，星期三fl的方向在图中是向上的,此时电子除了沿电流反方向作定向运动外,还在fl的作用下向上漂移,结果使金属导电板上底面积累电子,而下底面积累正电荷,从而形成了附加内电场EH,称霍尔电场,该电场强度为EH=式中UH为电位差。霍尔电场的出现,使定向运动的电子除了受洛仑磁力作用外,还受到霍尔电场的作用力,其大小为eEH，此力阻止电荷继续积累。随着上、下底面积累电荷的增加,霍尔电场增加,电子受到的电场力也增加,当电子所受洛仑磁力与霍尔电场作用力大小相等、方向相反时,即eEH=evB第32页，讲稿共77页，2023年5月2日，星期三eEH=evB则EH=vB（6-17）此时电荷不再向两底面积累,达到平衡状态。若金属导电板单位体积内电子数为n,电子定向运动平均速度为v,则激励电流I=nevbd,则v=（6-18）将式（6-18）代入式（6-17）得EH=（6-19）第33页，讲稿共77页，2023年5月2日，星期三UH=（6-20）式中令RH=1/（ne）,称之为霍尔常数,其大小取决于导体载流子密度，则（6-21）式中KH=RH/d称为霍尔片的灵敏度。由式（6-21）可见,霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔常数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度,霍尔元件常制成薄片形状。而代入得第34页，讲稿共77页，2023年5月2日，星期三对霍尔片材料的要求,希望有较大的霍尔常数RH,霍尔元件激励极间电阻R=ρL/（bd）,同时R=UI/I=EIL/I=vL/（μnevbd）其中UI为加在霍尔元件两端的激励电压，EI为霍尔元件激励极间内电场，v为电子移动的平均速度。则(7-17)解得RH=μρ（7-18）从式（7-18）可知,霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率μ的乘积。若要霍尔效应强,则霍尔常数RH值大,因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。第35页，讲稿共77页，2023年5月2日，星期三一般金属材料载流子迁移率很高,但电阻率很小;而绝缘材料电阻率极高,但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。目前常用的霍尔元件材料有:锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。其中N型锗容易加工制造,其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好,其霍尔系数、温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感,尤其在低温范围内温度系数大,但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小,温度系数也较小,输出特性线性度好。表7-1为常用国产霍尔元件的技术参数。第36页，讲稿共77页，2023年5月2日，星期三第37页，讲稿共77页，2023年5月2日，星期三第38页，讲稿共77页，2023年5月2日，星期三2.霍尔元件基本结构