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一种纳米二氧化硅限域C3N4室温磷光材料及其合成方法、应用.pdfVIP

一种纳米二氧化硅限域C3N4室温磷光材料及其合成方法、应用.pdf

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    本发明公开了一种纳米二氧化硅限域C3N4室温磷光材料，包括纳米二氧化硅以及原位生长于所述纳米二氧化硅内腔中的C3N4，C3N4为具有类石墨结构的二维片层材料。本发明还提供一种上述的纳米二氧化硅限域C3N4室温磷光材料的合成方法及其应用。本发明的纳米二氧化硅限域C3N4室温磷光材料具有良好的稳定性和磷光性能，合成方法简便，不需要高压设备，不需要重原子参与，无毒、廉价、环保，是一种新型的室温磷光材料，可在发光材料中应用，用于LED、防伪、生物成像等领域。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117384623A

    (43)申请公布日2024.01.12

    (21)申请号202311112953.2

    (22)申请日2023.08.30

    (71)申请人湖南大学

    地址4

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