一种新型TOPCon碱抛小塔基硅片基底及其制作方法.pdfVIP

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2024-01-13 发布于四川
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一种新型TOPCon碱抛小塔基硅片基底及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种用于TOPCon电池的硅片基底，所述硅片基底表面具有金字塔绒面的陷光结构；所述硅片基底背面为抛光后的陷光结构；所述硅片基底背面的塔基高度为0.15～0.21μm。本发明提供的具有特定结构的背面碱抛小塔基尺寸的TOPCon电池的硅片基底，对TOPCon电池的背面形貌进行优化，有效的提高了TOPCon电池的背面钝化结构及钝化效果，能够更好的改善TOPCON背面悬挂键及复合中心多的问题，并改善背面氧化层均匀性，提高开路电压及短路电流。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115347063A

(43)申请公布日2022.11.15

(21)申请号202211006620.7

(22)申请日2022.08.22

(71)申请人滁州捷泰新能源科技有限公司

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