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2024-01-13 发布于四川
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一种单元晶体管及制作方法.pdf

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本发明公开了一种单元晶体管及制作方法，单元晶体管包括基体，基体内设置有隔震结构和至少一个位线‑位线触点结构，隔震结构包括至少一个第一阻隔层结构和至少一个第二阻隔层结构；位线/位线触点结构包括设置于基体内的位线和位线触点，位线设置于位线触点的下方，位线触点和基体之间设置有金属阻隔层；金属阻隔层的上方沉积有两个第一翅片结构，长条形阻隔多层和圆形阻隔多层均包括第二翅片结构。将BL(位线)、BLC(位线触点)以及翅片结构均埋于基体内，可以大幅减少SNC与BL/BLC之间的寄生电容，大幅提升Sensing

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117395992A

(43)申请公布日2024.01.12

(21)申请号202311554295.2

(22)申请日2023.11.21

(71)申请人成都高真科技有限公司

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