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本发明提供一种HEMT器件及其制备方法。所述HEMT器件包括衬底、沟道层、势垒层、P型GaN栅极、栅极电极、源极电极及漏极电极；所述沟道层位于衬底上，所述势垒层位于沟道层上，势垒层和沟道层的界面处形成二维电子气；所述P型GaN栅极、源极电极及漏极电极间隔分布于势垒层上，所述栅极电极位于所述P型GaN栅极上方，源极电极和漏极电极位于P型GaN栅极的相对两侧，其中，所述HEMT器件中形成有钝化区，所述钝化区自所述P型GaN栅极的下部延伸到栅极与漏极电极之间的势垒层中，且所述钝化区与漏极电极具有间距。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117393597A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311313929.5
(22)申请日2023.10.11
(71)申请人上海新微半导体有限公司
地址2
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