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电子元件与材料第42卷第1期1月2023年
ElectronicComponentsandMaterialsVol.42No.1Jan2023
基于广义忆阻器的超混沌系统的研究与电路实现
李新颖,卢毅
(兰州交通大学电子与信息工程学院,甘肃兰州730070)
摘要:基于通用忆阻器模型,设计了一个广义忆阻器并将其引入混沌系统,构建了一个新的四阶忆阻超混沌系
统,探究了其动力学特性。首先对新型四阶忆阻超混沌系统的相图、耗散性、李雅普诺夫指数、稳定性等特性进行
分析,发现其存在无穷多平衡点集,且比原系统有更高的维度、混沌性以及复杂度。通过进一步分析其动力学现
象,发现随着参数和初值的变化,其分岔特性和李雅普诺夫指数反映出多吸引子共存等现象。最后通过数值仿真与
模拟电路仿真的相图对比,验证忆阻混沌系统电路的可行性。新系统有着更复杂的非线性行为,因此具有更高的研
究价值,同时为忆阻混沌电路的实际应用奠定了基础。
关键词:广义忆阻器;磁滞回线;混沌电路;吸引子共存
中图分类号:O415.5文献标识码:A
-
DOI:10.14106/ki.10012028.2023.1250
引用格式:李新颖,卢毅.基于广义忆阻器的超混沌系统的研究与电路实现[J].电子元件与材料,2023,42(1):103
-109.
Referenceformat:LIXinying,LUYi.Researchandcircuitimplementationofhyperchaoticsystembasedongeneralized
-
memristor[J].ElectronicComponentsandMaterials,2023,42(1):103109.
Researchandcircuitimplementationofhyperchaoticsystembased
ongeneralizedmemristor
LIXinying,LUYi
(SchoolofElectronicandInformationEngineering,LanzhouJiaotongUniversity,Lanzhou730070,China)
Abstract:Basedongeneralmemristormodel,ageneralizedmemristorwasdesignedandintroducedintochaoticsystem.A
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newfourthordermemristorhyperchaoticsystemwasconstructed,anditsdynamiccharacteristicswereinvestigated.Firstly,
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thenewfourthordermemristorhyperchaoswereanalyzedfortheirphasediagram,dissipation,Lyapunovexponent,stability
andothercharacteristics.Itisfoundthatthesy
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