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- 2024-01-17 发布于四川
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本实用新型揭示了一种N沟道MOS管的PCB贴片封装散热结构,包括N沟道MOS管和PCB板,PCB板上设有贴片封装区,贴片封装区包括焊盘区及两个管脚焊接区,焊盘区包括贯穿PCB板的若干贯通孔道,贯通孔道的两端分别设有位于PCB板表面的开窗焊圈,贯通孔道设有用于两个开窗焊圈相导通连接的导通体。本实用新型提供了封装后的通道散热,相较传统封装其散热效果得到显著提升。易于实现贯通导通配接配合,焊接结构可靠性与导通可靠性得到保障。开窗过孔与导通体内置结合巧妙,易于PCB板设计与加工成型,适于推广应用。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220359435U
(45)授权公告日2024.01.16
(21)申请号202322012916.6
(22)申请日2023.07.28
(73)专利权人苏州海鹏科技有限公司
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