第四五讲-单晶硅制备.pptxVIP

第四五讲单晶硅制备;硅单晶的制备，就是要实现由多晶到单晶的转变，即原子由液相的随机排列直接转变为有序阵列；由不对称结构转变为有对称结构。这种转变而是通过固-液界面的移动而逐渐完成的。从熔体中生长硅单晶的方法，目前应用最广泛的主要有两种；有坩埚直拉法(Czochralski法,CZ)和无坩埚悬浮区熔法(Zonemeltngmethod)又称Fz法(Float-Zonemethod)。;4.1、直拉生长工艺;4.1.1、CZ基本原理;4.1.2CZ基本工艺;2、利用热场形成温度梯度

热场（hotzone)是由高纯石墨部件和保温材料（碳毡）组成。

;3晶转、晶升、埚转和埚升

;4单晶炉提供减压气氛保护、机械运动和自动控制系统

;4.1.3基本设备;8上炉筒提升系统：

液压装置，用于上炉筒提升；

9梯子：

攀登炉顶，检查维修提拉头等；

10观察窗：

观察炉内的实际拉晶状态；

11测温孔：

测量对应的保温筒外的温度；

12排气口：

氩气的出口，连接真空泵；

13坩埚升降系统：

坩埚升降旋转系统等；

14冷却水管组：

提供冷却水的分配。;2、石墨热场的基本部件及作用;石墨坩埚;导流筒的形状及剖面;左图为石墨加热器三维图。