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2024-01-20 发布于四川
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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底部的第一掺杂层；位于所述栅极沟槽侧壁和所述第一掺杂层表面的栅极介质层；贯穿所述栅极介质层连接所述第一掺杂层的第二掺杂层；位于所述第二掺杂层和栅极介质层表面的第三掺杂层，所述第三掺杂层不填满所述栅极沟槽；贯穿所述第三掺杂层连接所述第二掺杂层的第四掺杂层，所述第四掺杂层和所述第三掺杂层的掺杂类型相反，所述第三掺杂层和所述第四掺杂层构成TVS

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117423624A

(43)申请公布日2024.01.19

(21)申请号202311491270.2

(22)申请日2023.11.09

(71)申请人飞锃半导体（上海）有限公司

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